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IXFR44N80P

IXFR44N80P

僅供參考

型號 IXFR44N80P
PNEDA編號 IXFR44N80P
制造商 IXYS
描述 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 8,946
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR44N80P資源

品牌 IXYS
制造商零件編號IXFR44N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR44N80P, IXFR44N80P數據表 (總頁數: 4, 大小: 101.48 KB)
PDFIXFR44N80P數據表 封面
IXFR44N80P數據表 頁面 2 IXFR44N80P數據表 頁面 3 IXFR44N80P數據表 頁面 4

IXFR44N80P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 930µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2540pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

192W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

310nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 57A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

164nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7109pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

481W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

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