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IXFN100N20

IXFN100N20

僅供參考

型號 IXFN100N20
PNEDA編號 IXFN100N20
描述 MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN100N20資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN100N20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN100N20, IXFN100N20數據表 (總頁數: 4, 大小: 112.38 KB)
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IXFN100N20規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs380nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 1.07A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

8.33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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900mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

41pF @ 15V

FET功能

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