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IXFK170N20T

IXFK170N20T

僅供參考

型號 IXFK170N20T
PNEDA編號 IXFK170N20T
描述 MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK170N20T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK170N20T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK170N20T, IXFK170N20T數據表 (總頁數: 5, 大小: 123.38 KB)
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IXFX170N20T數據表 頁面 2 IXFX170N20T數據表 頁面 3 IXFX170N20T數據表 頁面 4 IXFX170N20T數據表 頁面 5

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IXFK170N20T規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs265nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds19600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

91W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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