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IXDN602D2TR

IXDN602D2TR

僅供參考

型號 IXDN602D2TR
PNEDA編號 IXDN602D2TR
描述 IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 18 - 七月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN602D2TR資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN602D2TR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDN602D2TR, IXDN602D2TR數據表 (總頁數: 13, 大小: 261.99 KB)
PDFIXDI602SI數據表 封面
IXDI602SI數據表 頁面 2 IXDI602SI數據表 頁面 3 IXDI602SI數據表 頁面 4 IXDI602SI數據表 頁面 5 IXDI602SI數據表 頁面 6 IXDI602SI數據表 頁面 7 IXDI602SI數據表 頁面 8 IXDI602SI數據表 頁面 9 IXDI602SI數據表 頁面 10 IXDI602SI數據表 頁面 11

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IXDN602D2TR規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-DFN-EP (5x4)

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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IXYS

制造商

IXYS

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

14A, 14A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 22ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

7V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

23ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

IXDN604SI

IXYS Integrated Circuits Division

制造商

IXYS Integrated Circuits Division

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

8-SOIC-EP

LM5100ASD

Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

430ns, 260ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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