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IXDN55N120D1

IXDN55N120D1

僅供參考

型號 IXDN55N120D1
PNEDA編號 IXDN55N120D1
描述 IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $73.3818
50 ---------- $69.9420
100 ---------- $66.5022
200 ---------- $63.0625
400 ---------- $60.1960
500 ---------- $57.3295
庫存 1
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN55N120D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN55N120D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXDN55N120D1, IXDN55N120D1數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.05 KB)
PDFIXDN55N120D1數據表 封面
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IXDN55N120D1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大450W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 55A
當前-集電極截止(最大值)3.8mA
輸入電容(Cies)@ Vce3.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1500A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 1500A

當前-集電極截止(最大值)

100mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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230A

功率-最大

730W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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VDI50-12P1

IXYS

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

49A

功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Microsemi

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

功率-最大

170W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.43nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

109A

功率-最大

447W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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