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IXDN502D1

IXDN502D1

僅供參考

型號 IXDN502D1
PNEDA編號 IXDN502D1
描述 IC GATE DRIVER DUAL 2A 6-DFN
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN502D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN502D1
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDN502D1, IXDN502D1數據表 (總頁數: 12, 大小: 404.13 KB)
PDFIXDN502SIA數據表 封面
IXDN502SIA數據表 頁面 2 IXDN502SIA數據表 頁面 3 IXDN502SIA數據表 頁面 4 IXDN502SIA數據表 頁面 5 IXDN502SIA數據表 頁面 6 IXDN502SIA數據表 頁面 7 IXDN502SIA數據表 頁面 8 IXDN502SIA數據表 頁面 9 IXDN502SIA數據表 頁面 10 IXDN502SIA數據表 頁面 11

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IXDN502D1規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 30V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-DFN (4x5)

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

ISL6620AIRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

10-DFN (3x3)

ISL6594DCRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

10-DFN (3x3)

L6386AD

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

17V (Max)

邏輯電壓-VIL,VIH

1.5V, 3.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

400mA, 650mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

50ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

12ns, 9ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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