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IXDE509D1

IXDE509D1

僅供參考

型號 IXDE509D1
PNEDA編號 IXDE509D1
描述 IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDE509D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDE509D1
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDE509D1, IXDE509D1數據表 (總頁數: 14, 大小: 402.26 KB)
PDFIXDD509D1T/R數據表 封面
IXDD509D1T/R數據表 頁面 2 IXDD509D1T/R數據表 頁面 3 IXDD509D1T/R數據表 頁面 4 IXDD509D1T/R數據表 頁面 5 IXDD509D1T/R數據表 頁面 6 IXDD509D1T/R數據表 頁面 7 IXDD509D1T/R數據表 頁面 8 IXDD509D1T/R數據表 頁面 9 IXDD509D1T/R數據表 頁面 10 IXDD509D1T/R數據表 頁面 11

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IXDE509D1規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 30V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)9A, 9A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)25ns, 23ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-DFN (4x5)

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電壓-供電

8V ~ 12.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

125V

上升/下降時間(典型值)

65ns, 65ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

12A, 12A

輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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系列

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驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

0V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.6A, 3.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

500V

上升/下降時間(典型值)

43ns, 26ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.1V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

36ns, 32ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

Single

驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.2V, 1.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.1A, 1.1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

80V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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