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IXD611S1T/R

IXD611S1T/R

僅供參考

型號 IXD611S1T/R
PNEDA編號 IXD611S1T-R
描述 IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXD611S1T/R資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXD611S1T/R
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXD611S1T/R, IXD611S1T/R數據表 (總頁數: 14, 大小: 272.4 KB)
PDFIXD611S7T/R數據表 封面
IXD611S7T/R數據表 頁面 2 IXD611S7T/R數據表 頁面 3 IXD611S7T/R數據表 頁面 4 IXD611S7T/R數據表 頁面 5 IXD611S7T/R數據表 頁面 6 IXD611S7T/R數據表 頁面 7 IXD611S7T/R數據表 頁面 8 IXD611S7T/R數據表 頁面 9 IXD611S7T/R數據表 頁面 10 IXD611S7T/R數據表 頁面 11

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IXD611S1T/R規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH2.4V, 2.7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)600mA, 600mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)28ns, 18ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.4V, 5.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

32µA, 400µA

輸入類型

CMOS

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

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驅動程序數量

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

56V

上升/下降時間(典型值)

130ns, 120ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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頻道類型

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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工作溫度

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Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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