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IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

僅供參考

型號 IXBT32N300HV
PNEDA編號 IXBT32N300HV
描述 IGBT 3000V 80A 400W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBT32N300HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBT32N300HV
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXBT32N300HV規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3000V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)280A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 32A
功率-最大400W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用142nC
25°C時的Td(開/關)50ns/160ns
測試條件1250V, 32A, 2Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)1500ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268HV

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180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

290W

開關能量

115µJ (on), 195µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/35ns

測試條件

390V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.8A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

25W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IXYS

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

200W

開關能量

2.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/180ns

測試條件

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

電流-集電極脈沖(Icm)

360A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 120A

功率-最大

750W

開關能量

4.47mJ (on), 3.43mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/190ns

測試條件

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

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門禁費用

28nC

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19ns/91ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

96ns

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