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IXBH5N160G

IXBH5N160G

僅供參考

型號 IXBH5N160G
PNEDA編號 IXBH5N160G
描述 IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBH5N160G資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBH5N160G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBH5N160G, IXBH5N160G數據表 (總頁數: 2, 大小: 39.95 KB)
PDFIXBH5N160G數據表 封面
IXBH5N160G數據表 頁面 2

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IXBH5N160G規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1600V
當前-集電極(Ic)(最大值)5.7A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic7.2V @ 15V, 3A
功率-最大68W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用26nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件960V, 3A, 47Ohm, 10V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXBH)

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29A

電流-集電極脈沖(Icm)

70A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 8A

功率-最大

280W

開關能量

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/180ns

測試條件

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

5ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 (IXYH)

制造商

IXYS

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 50A

功率-最大

100W

開關能量

4.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/350ns

測試條件

720V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ISOPLUS247™

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

395W

開關能量

2.25mJ (on), 950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/174ns

測試條件

400V, 75A, 8Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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制造商

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-

IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

283A

電流-集電極脈沖(Icm)

600A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 200A

功率-最大

682W

開關能量

13mJ (on), 11mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

1180nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/560ns

測試條件

400V, 200A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

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