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IXBF9N160G

IXBF9N160G

僅供參考

型號 IXBF9N160G
PNEDA編號 IXBF9N160G
描述 IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 18 - 七月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBF9N160G資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBF9N160G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBF9N160G, IXBF9N160G數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.66 KB)
PDFIXBF9N160G數據表 封面
IXBF9N160G數據表 頁面 2 IXBF9N160G數據表 頁面 3 IXBF9N160G數據表 頁面 4

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IXBF9N160G規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1600V
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic7V @ 15V, 5A
功率-最大70W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用34nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件960V, 5A, 27Ohm, 10V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱i4-Pac™-5 (3 Leads)
供應商設備包裝ISOPLUS i4-PAC™

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電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 24A

功率-最大

500W

開關能量

3.6mJ (on), 1.76mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

96nC

25°C時的Td(開/關)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 40A

功率-最大

45W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

74nC

25°C時的Td(開/關)

53ns/90ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-3PFM

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

19A

電流-集電極脈沖(Icm)

38A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 10A

功率-最大

60W

開關能量

320µJ (on), 2.58mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

62ns/690ns

測試條件

480V, 10A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

230A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 32A

功率-最大

300W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

89nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

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