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IXBF9N160G

IXBF9N160G

僅供參考

型號 IXBF9N160G
PNEDA編號 IXBF9N160G
描述 IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBF9N160G資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBF9N160G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBF9N160G, IXBF9N160G數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.66 KB)
PDFIXBF9N160G數據表 封面
IXBF9N160G數據表 頁面 2 IXBF9N160G數據表 頁面 3 IXBF9N160G數據表 頁面 4

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IXBF9N160G規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1600V
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic7V @ 15V, 5A
功率-最大70W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用34nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件960V, 5A, 27Ohm, 10V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱i4-Pac™-5 (3 Leads)
供應商設備包裝ISOPLUS i4-PAC™

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

IRG4BC30F-S

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

230µJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/96ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

75ns/300ns

測試條件

300V, 50A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

300ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3P

制造商

IXYS

系列

BIMOSFET™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 20A

功率-最大

430W

開關能量

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/238ns

測試條件

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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