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IXA611S3T/R

IXA611S3T/R

僅供參考

型號 IXA611S3T/R
PNEDA編號 IXA611S3T-R
描述 IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXA611S3T/R資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXA611S3T/R
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXA611S3T/R, IXA611S3T/R數據表 (總頁數: 6, 大小: 490.12 KB)
PDFIXA611S3T/R數據表 封面
IXA611S3T/R數據表 頁面 2 IXA611S3T/R數據表 頁面 3 IXA611S3T/R數據表 頁面 4 IXA611S3T/R數據表 頁面 5 IXA611S3T/R數據表 頁面 6

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IXA611S3T/R規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH6V, 7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)600mA, 600mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)650V
上升/下降時間(典型值)23ns, 22ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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Microchip Technology

系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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Linear Technology/Analog Devices

系列

-

驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 60V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

90ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.3V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

500V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 17ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Renesas Electronics America Inc.

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

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安裝類型

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