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ISL6613BECB

ISL6613BECB

僅供參考

型號 ISL6613BECB
PNEDA編號 ISL6613BECB
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6613BECB資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6613BECB
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6613BECB, ISL6613BECB數據表 (總頁數: 12, 大小: 679.4 KB)
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ISL6613BECB規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電7V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.1V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 7A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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系列

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驅動配置

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頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

2.75V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

210mA, 360mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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