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IS61QDPB21M36A-333M3L

IS61QDPB21M36A-333M3L

僅供參考

型號 IS61QDPB21M36A-333M3L
PNEDA編號 IS61QDPB21M36A-333M3L
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDPB21M36A-333M3L資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDPB21M36A-333M3L
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDPB21M36A-333M3L, IS61QDPB21M36A-333M3L數據表 (總頁數: 33, 大小: 788.02 KB)
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IS61QDPB21M36A-333M3L規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUADP
內存大小36Mb (1M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.4ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (15x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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8-PDIP

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內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

55ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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120ns

訪問時間

120ns

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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