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IS61LV6416-10BLI

IS61LV6416-10BLI

僅供參考

型號 IS61LV6416-10BLI
PNEDA編號 IS61LV6416-10BLI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,053
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61LV6416-10BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61LV6416-10BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61LV6416-10BLI, IS61LV6416-10BLI數據表 (總頁數: 16, 大小: 141.34 KB)
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IS61LV6416-10BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-miniBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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