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IS43R86400D-6BLI

IS43R86400D-6BLI

僅供參考

型號 IS43R86400D-6BLI
PNEDA編號 IS43R86400D-6BLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R86400D-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R86400D-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R86400D-6BLI, IS43R86400D-6BLI數據表 (總頁數: 33, 大小: 1,045.4 KB)
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IS43R86400D-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (8x13)

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Parallel

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訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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訪問時間

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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