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IS43LR32160B-6BLI

IS43LR32160B-6BLI

僅供參考

型號 IS43LR32160B-6BLI
PNEDA編號 IS43LR32160B-6BLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LR32160B-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LR32160B-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LR32160B-6BLI, IS43LR32160B-6BLI數據表 (總頁數: 44, 大小: 1,839.45 KB)
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IS43LR32160B-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁12ns
訪問時間5.5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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