IS43DR86400E-3DBLI
僅供參考
| 型號 | IS43DR86400E-3DBLI |
| PNEDA編號 | IS43DR86400E-3DBLI |
| 描述 | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,974 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸) |
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IS43DR86400E-3DBLI資源
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IS43DR86400E-3DBLI規格
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | DRAM |
| 技術 | SDRAM - DDR2 |
| 內存大小 | 512Mb (64M x 8) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 333MHz |
| 寫周期-字，頁 | 15ns |
| 訪問時間 | 450ns |
| 電壓-供電 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 60-TFBGA |
| 供應商設備包裝 | 60-TWBGA (8x10.5) |
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