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IS42S32200L-6BL

IS42S32200L-6BL

僅供參考

型號 IS42S32200L-6BL
PNEDA編號 IS42S32200L-6BL
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32200L-6BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32200L-6BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32200L-6BL, IS42S32200L-6BL數據表 (總頁數: 59, 大小: 1,309.99 KB)
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IS42S32200L-6BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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