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IRS21271SPBF

IRS21271SPBF

僅供參考

型號 IRS21271SPBF
PNEDA編號 IRS21271SPBF
描述 IC DVR CURR SENSE 1CH 600V 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRS21271SPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRS21271SPBF
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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IRS21271SPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
驅動配置High-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)290mA, 600mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)80ns, 40ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.8A, 1.8A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-WDFN Exposed Pad

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-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

600mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

650V

上升/下降時間(典型值)

23ns, 22ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

350mA, 650mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

60ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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28-SOIC

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Infineon Technologies

制造商

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

22ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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