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IRLHS6376TR2PBF

IRLHS6376TR2PBF

僅供參考

型號 IRLHS6376TR2PBF
PNEDA編號 IRLHS6376TR2PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $1.6790
250 ---------- $1.6003
500 ---------- $1.5216
1,000 ---------- $1.4429
2,500 ---------- $1.3773
5,000 ---------- $1.3117
庫存 53
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 11 - 六月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLHS6376TR2PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLHS6376TR2PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRLHS6376TR2PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 25V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-PQFN (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.58A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1495pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.01mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3340pF @ 13V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1465pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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