IRL3705ZPBF
僅供參考
| 型號 | IRL3705ZPBF |
| PNEDA編號 | IRL3705ZPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| 單價 |
|
| 庫存 | 17,772 |
| 倉庫 | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| 付款方式 |  |
| 運輸方式 |  |
| 預計交貨 | 十月 23 - 十月 28 (選擇加急運輸) |
| 保修 | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
IRL3705ZPBF資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 制造商零件編號 | IRL3705ZPBF |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
IRL3705ZPBF規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 55V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 75A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 3V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 60nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2880pF @ 25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 130W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | TO-220AB |
| 包裝/箱 | TO-220-3 |
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
您可能感興趣的產品
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen III FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 19mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 42nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1500pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 4.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOIC 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 12.5mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 23nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2100pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8.1A (Ta), 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 27.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.2V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 330pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.4W (Ta), 24W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN, 5 Leads |
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 64mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 445pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 47W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 P-TO252-3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-251AA 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
快速查詢
添加至購物車
聯系我們
如果您對IRL3705ZPBF有任何疑問，請隨時與我們聯系。
- 致電我們
+86-755-83210135-208
- 電子郵箱
- SKYPE
- WeChat
- 留言
