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IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60KD1PBF

僅供參考

型號 IRGSL4B60KD1PBF
PNEDA編號 IRGSL4B60KD1PBF
描述 IGBT 600V 11A 63W TO262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGSL4B60KD1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGSL4B60KD1PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGSL4B60KD1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 4A
功率-最大63W
開關能量73µJ (on), 47µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)22ns/100ns
測試條件400V, 4A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)93ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262

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PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

41nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/150ns

測試條件

480V, 24A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IRG4IBC20WPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

功率-最大

34W

開關能量

60µJ (on), 80µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

26nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/110ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 15A

功率-最大

113W

開關能量

430µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

56nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/86ns

測試條件

300V, 15A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

160ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-83

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

88A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

326W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

58nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/115ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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