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IRGIB10B60KD1P

IRGIB10B60KD1P

僅供參考

型號 IRGIB10B60KD1P
PNEDA編號 IRGIB10B60KD1P
描述 IGBT 600V 16A 44W TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGIB10B60KD1P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGIB10B60KD1P
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGIB10B60KD1P規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電流-集電極脈沖(Icm)32A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 10A
功率-最大44W
開關能量156µJ (on), 165µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用41nC
25°C時的Td(開/關)25ns/180ns
測試條件400V, 10A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)79ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak

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電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 40A

功率-最大

460W

開關能量

2mJ (on), 630µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

196nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/123ns

測試條件

600V, 40A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

75ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-264 (IXGK)

IRG4IBC30UDPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

45W

開關能量

380µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

40ns/91ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220AB Full-Pak

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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