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IRGC4069B

IRGC4069B

僅供參考

型號 IRGC4069B
PNEDA編號 IRGC4069B
描述 IGBT CHIP WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGC4069B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGC4069B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRGC4069B, IRGC4069B數據表 (總頁數: 2, 大小: 93.1 KB)
PDFIRGC4069B數據表 封面
IRGC4069B數據表 頁面 2

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IRGC4069B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

52W

開關能量

81µJ (on), 49µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9.2nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/73ns

測試條件

400V, 5A, 60Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 30A

功率-最大

370W

開關能量

350µJ (on), 825µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/185ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

功率-最大

210W

開關能量

1.06mJ (on), 620µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/160ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

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