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IRG8P60N120KD-EPBF

IRG8P60N120KD-EPBF

僅供參考

型號 IRG8P60N120KD-EPBF
PNEDA編號 IRG8P60N120KD-EPBF
描述 IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8P60N120KD-EPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8P60N120KD-EPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG8P60N120KD-EPBF, IRG8P60N120KD-EPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 686.86 KB)
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IRG8P60N120KD-EPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 40A
功率-最大420W
開關能量2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用345nC
25°C時的Td(開/關)40ns/240ns
測試條件600V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)210ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD

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電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

833W

開關能量

8045µJ (on), 7640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/620ns

測試條件

800V, 75A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 20A

功率-最大

100W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

97nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/65ns

測試條件

300V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7.1V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

960V, 25A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 32A

功率-最大

300W

開關能量

2.6mJ (on), 9.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/385ns

測試條件

800V, 32A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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