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IRG7T200HF12B

IRG7T200HF12B

僅供參考

型號 IRG7T200HF12B
PNEDA編號 IRG7T200HF12B
描述 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7T200HF12B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7T200HF12B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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IRG7T200HF12B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大1060W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)2mA
輸入電容(Cies)@ Vce22.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 62 Module
供應商設備包裝POWIR® 62

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1136W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.45nF @ 20V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Double INT-A-PAK (3 + 4)

供應商設備包裝

Double INT-A-PAK

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制造商

Infineon Technologies

系列

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

430W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

功率-最大

760W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

7.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Y3-DCB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.85V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

600pF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

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-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

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