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IRG7T200HF12B

IRG7T200HF12B

僅供參考

型號 IRG7T200HF12B
PNEDA編號 IRG7T200HF12B
描述 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7T200HF12B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7T200HF12B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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IRG7T200HF12B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大1060W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)2mA
輸入電容(Cies)@ Vce22.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 62 Module
供應商設備包裝POWIR® 62

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

Yes

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

600pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.85V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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