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IRG7CH75UED-R

IRG7CH75UED-R

僅供參考

型號 IRG7CH75UED-R
PNEDA編號 IRG7CH75UED-R
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH75UED-R資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH75UED-R
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH75UED-R規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

120µJ (on), 90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/42ns

測試條件

300V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 10A

功率-最大

156W

開關能量

140µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/230ns

測試條件

400V, 10A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

333W

開關能量

1.15mJ (on), 460µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/490ns

測試條件

600V, 15A, 34Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

72ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.62V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

160µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/51ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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