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IRG7CH37K10EF

IRG7CH37K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH37K10EF
PNEDA編號 IRG7CH37K10EF
描述 IGBT CHIP WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH37K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH37K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG7CH37K10EF, IRG7CH37K10EF數據表 (總頁數: 4, 大小: 141.16 KB)
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IRG7CH37K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 15A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用80nC
25°C時的Td(開/關)28ns/122ns
測試條件600V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 15A

功率-最大

130W

開關能量

570µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/188ns

測試條件

400V, 15A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

129A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 25A

功率-最大

337W

開關能量

875µJ (on), 425µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/82ns

測試條件

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

165W

開關能量

430µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

66nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/90ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 16A

功率-最大

100W

開關能量

600µJ (on), 580µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/160ns

測試條件

480V, 16A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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