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IRG4RC10KPBF

IRG4RC10KPBF

僅供參考

型號 IRG4RC10KPBF
PNEDA編號 IRG4RC10KPBF
描述 IGBT 600V 9A 38W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4RC10KPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4RC10KPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4RC10KPBF, IRG4RC10KPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 183.76 KB)
PDFIRG4RC10KPBF數據表 封面
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IRG4RC10KPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)9A
電流-集電極脈沖(Icm)18A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.62V @ 15V, 5A
功率-最大38W
開關能量160µJ (on), 100µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19nC
25°C時的Td(開/關)11ns/51ns
測試條件480V, 5A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

29nC

25°C時的Td(開/關)

650ns/13.5µs

測試條件

300V, 10A, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

33A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

76W

開關能量

570µJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

64nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/105ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3PFM

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

320A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

625W

開關能量

400µJ (on), 310µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/70ns

測試條件

390V, 40A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

440A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 70A

功率-最大

695W

開關能量

1.9mJ (on), 2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

143nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/120ns

測試條件

360V, 70A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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