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IRG4BC30U-S

IRG4BC30U-S

僅供參考

型號 IRG4BC30U-S
PNEDA編號 IRG4BC30U-S
描述 IGBT 600V 23A 100W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC30U-S資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC30U-S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4BC30U-S, IRG4BC30U-S數據表 (總頁數: 9, 大小: 313.82 KB)
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IRG4BC30U-S規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)92A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 12A
功率-最大100W
開關能量160µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用50nC
25°C時的Td(開/關)17ns/78ns
測試條件480V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 16A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

72nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.32µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 8A

功率-最大

99W

開關能量

70µJ (on), 145µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/95ns

測試條件

400V, 8A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.8A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

25W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

21A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 3A

功率-最大

56W

開關能量

20µJ (on), 68µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13.6nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/76ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

21ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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