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IRG4BC30S-S

IRG4BC30S-S

僅供參考

型號 IRG4BC30S-S
PNEDA編號 IRG4BC30S-S
描述 IGBT 600V 34A 100W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC30S-S資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC30S-S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4BC30S-S, IRG4BC30S-S數據表 (總頁數: 10, 大小: 156.65 KB)
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IRG4BC30S-S規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)34A
電流-集電極脈沖(Icm)68A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 18A
功率-最大100W
開關能量260µJ (on), 3.45mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用50nC
25°C時的Td(開/關)22ns/540ns
測試條件480V, 18A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

267W

開關能量

1.16MJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

36nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

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開關能量

3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

70ns/150ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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16.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 8A

功率-最大

125W

開關能量

1mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/440ns

測試條件

800V, 8A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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