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IRG4BC20UDSTRLP

IRG4BC20UDSTRLP

僅供參考

型號 IRG4BC20UDSTRLP
PNEDA編號 IRG4BC20UDSTRLP
描述 IGBT 600V 13A 60W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC20UDSTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC20UDSTRLP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG4BC20UDSTRLP, IRG4BC20UDSTRLP數據表 (總頁數: 11, 大小: 360.11 KB)
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IRG4BC20UDSTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)13A
電流-集電極脈沖(Icm)52A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 6.5A
功率-最大60W
開關能量160µJ (on), 130µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用27nC
25°C時的Td(開/關)39ns/93ns
測試條件480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)37ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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900V

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51A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 28A

功率-最大

200W

開關能量

1.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 15A

功率-最大

150W

開關能量

850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

960V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

105W

開關能量

120µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/160ns

測試條件

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

48ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 17A

功率-最大

150W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 17A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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