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IRG4BC20KDSTRLP

IRG4BC20KDSTRLP

僅供參考

型號 IRG4BC20KDSTRLP
PNEDA編號 IRG4BC20KDSTRLP
描述 IGBT 600V 16A 60W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 19,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC20KDSTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC20KDSTRLP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4BC20KDSTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電流-集電極脈沖(Icm)32A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 9A
功率-最大60W
開關能量340µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用34nC
25°C時的Td(開/關)54ns/180ns
測試條件480V, 9A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)37ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

85W

開關能量

90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/60ns

測試條件

480V, 12A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

384W

開關能量

700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

-/230ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

56A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

170W

開關能量

200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/90ns

測試條件

400V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/275ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

152ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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