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IRFR5410PBF

IRFR5410PBF

僅供參考

型號 IRFR5410PBF
PNEDA編號 IRFR5410PBF
描述 MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR5410PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR5410PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR5410PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs58nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds760pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)66W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

196nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9417pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.9mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±22V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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