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IRFR3708TRRPBF

IRFR3708TRRPBF

僅供參考

型號 IRFR3708TRRPBF
PNEDA編號 IRFR3708TRRPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 288
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保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3708TRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
制造商零件編號IRFR3708TRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

IRFR3708TRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)61A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2417pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)87W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25.2mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 135µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 113W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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