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IRFR2407TRR

IRFR2407TRR

僅供參考

型號 IRFR2407TRR
PNEDA編號 IRFR2407TRR
描述 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR2407TRR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR2407TRR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR2407TRR, IRFR2407TRR數據表 (總頁數: 11, 大小: 134.62 KB)
PDFIRFR2407TRR數據表 封面
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IRFR2407TRR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

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Surface Mount

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

217nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Nexperia USA Inc.

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

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-

功耗(最大值)

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