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IRFI530G

IRFI530G

僅供參考

型號 IRFI530G
PNEDA編號 IRFI530G
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 447
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFI530G資源

品牌 Vishay Siliconix
制造商零件編號IRFI530G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFI530G, IRFI530G數據表 (總頁數: 8, 大小: 936.42 KB)
PDFIRFI530G數據表 封面
IRFI530G數據表 頁面 2 IRFI530G數據表 頁面 3 IRFI530G數據表 頁面 4 IRFI530G數據表 頁面 5 IRFI530G數據表 頁面 6 IRFI530G數據表 頁面 7 IRFI530G數據表 頁面 8

IRFI530G規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds670pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

106nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3720pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 660µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

139W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 20V

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功耗(最大值)

4.2W (Tc)

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