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IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

僅供參考

型號 IRFHM8363TRPBF
PNEDA編號 IRFHM8363TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,154
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFHM8363TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFHM8363TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRFHM8363TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1165pF @ 10V
功率-最大2.7W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1513pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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