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IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

僅供參考

型號 IRFHM8363TRPBF
PNEDA編號 IRFHM8363TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,154
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFHM8363TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFHM8363TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRFHM8363TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1165pF @ 10V
功率-最大2.7W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 15V, 807pF @ 15V

功率-最大

2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

374nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10300pF @ 25V

功率-最大

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 15V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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