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IRFD9123

IRFD9123

僅供參考

型號 IRFD9123
PNEDA編號 IRFD9123
描述 MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFD9123資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFD9123
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFD9123規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds390pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1147pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

122mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870.7pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

196mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.2V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

1W (Ta)

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