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IRF9333TRPBF

IRF9333TRPBF

僅供參考

型號 IRF9333TRPBF
PNEDA編號 IRF9333TRPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 118,110
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
付款方式 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運輸方式 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
預計交貨 十月 27 - 十一月 1 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9333TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
制造商零件編號IRF9333TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

IRF9333TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1110pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.5A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

224nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11135pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

92W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

490mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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