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IRF7901D1TR

IRF7901D1TR

僅供參考

型號 IRF7901D1TR
PNEDA編號 IRF7901D1TR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7901D1TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7901D1TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7901D1TR, IRF7901D1TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 426.72 KB)
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IRF7901D1TR規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 16V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 19µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 25V

功率-最大

51W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

820mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

796pF @ 25V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

SH8M31GZETB

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC, 40nC @ 5V, 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF, 2500pF @ 10V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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