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IRF7739L1TRPBF

IRF7739L1TRPBF

僅供參考

型號 IRF7739L1TRPBF
PNEDA編號 IRF7739L1TRPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 4,985
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保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7739L1TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
制造商零件編號IRF7739L1TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

IRF7739L1TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A (Ta), 270A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1mOhm @ 160A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs330nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11880pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET L8
包裝/箱DirectFET™ Isometric L8

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

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