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IRF7389

IRF7389

僅供參考

型號 IRF7389
PNEDA編號 IRF7389
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7389資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7389
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7389, IRF7389數據表 (總頁數: 10, 大小: 214.47 KB)
PDFIRF7389TR數據表 封面
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IRF7389規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
功率-最大2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

637pF @ 30V

功率-最大

1.81W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

功率-最大

285mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

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系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

55V, 30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

121nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

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