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IRF7311TR

IRF7311TR

僅供參考

型號 IRF7311TR
PNEDA編號 IRF7311TR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7311TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7311TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7311TR, IRF7311TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 209.24 KB)
PDFIRF7311TR數據表 封面
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IRF7311TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3890pF @ 25V

功率-最大

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安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V, 50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

571mA (Ta), 304mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V, 26pF @ 25V

功率-最大

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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