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IRF6712STR1PBF

IRF6712STR1PBF

僅供參考

型號 IRF6712STR1PBF
PNEDA編號 IRF6712STR1PBF
描述 MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6712STR1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6712STR1PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6712STR1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1570pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ SQ
包裝/箱DirectFET™ Isometric SQ

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1522pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1330pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

310mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 115mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

370mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 32A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.65V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 8V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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