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IRF6635TRPBF

IRF6635TRPBF

僅供參考

型號 IRF6635TRPBF
PNEDA編號 IRF6635TRPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 382
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6635TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
制造商零件編號IRF6635TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF6635TRPBF, IRF6635TRPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 255.6 KB)
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IRF6635TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs71nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5970pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 190A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6030pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DIRECTFET™ MX

包裝/箱

DirectFET™ Isometric MX

DMT10H014LSS-13

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1871pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-WEMT

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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