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IRF5810TRPBF

IRF5810TRPBF

僅供參考

型號 IRF5810TRPBF
PNEDA編號 IRF5810TRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5810TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5810TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF5810TRPBF, IRF5810TRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 193.79 KB)
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IRF5810TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 16V
功率-最大960mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Tc), 460mA (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28pF @ 15V, 21pF @ 15V

功率-最大

340mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 18A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1765pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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