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IR11662STRPBF

IR11662STRPBF

僅供參考

型號 IR11662STRPBF
PNEDA編號 IR11662STRPBF
描述 IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 1,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IR11662STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IR11662STRPBF
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IR11662STRPBF, IR11662STRPBF數據表 (總頁數: 26, 大小: 663.93 KB)
PDFIR11662SPBF數據表 封面
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IR11662STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列Advanced Smart Rectifier™
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電11.4V ~ 18V
邏輯電壓-VIL,VIH2V, 2.15V
電流-峰值輸出(源極,接收器)1A, 4A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)21ns, 10ns
工作溫度-25°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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門類型

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電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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安裝類型

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頻道類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 7A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

400mA, 650mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

70ns, 40ns

工作溫度

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安裝類型

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

8ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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輸入類型

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