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IPI47N10SL26AKSA1

IPI47N10SL26AKSA1

僅供參考

型號 IPI47N10SL26AKSA1
PNEDA編號 IPI47N10SL26AKSA1
描述 MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI47N10SL26AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI47N10SL26AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPI47N10SL26AKSA1, IPI47N10SL26AKSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 3,643.67 KB)
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IPI47N10SL26AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)47A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs135nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)175W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 135µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

143nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

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功耗(最大值)

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